【1】SI / PI / EMI とは何か
まず3つの用語を整理する。
① SI(Signal Integrity:信号品質)
信号が正しい形・正しいタイミング・正しい電圧で届くかを扱う分野。
問題例:
・立ち上がりの鈍化
・リンギング
・ジッタ
・クロストーク
高速I/O(PCIe, DDR, SerDes)では最重要。
② PI(Power Integrity:電源品質)
電源が安定して・瞬時に・十分な電流を供給できるかを扱う。
問題例:
・電源電圧ドロップ
・同時スイッチングノイズ(SSN)
・グランドバウンス
AIチップやHBMでは致命的。
③ EMI(Electromagnetic Interference:電磁干渉)
不要な電磁波が、
・他回路に悪影響を与える
・規格(FCC / CISPRなど)に違反する とった問題。
製品出荷を止める最後の関門になりやすい。
【2】なぜ先端パッケージで問題が深刻化するのか
理由は以下の通り。
① 信号速度が極端に速い
数十Gbps~100Gbps級になると、
配線は単なる導線ではなく伝送線路になる。
② 配線密度が異常に高い
Fan-out、2.5D、3Dでは、隣接配線との距離が極端に短くなり、クロストークが急増。
③ 電流が大きすぎる
AIチップでは数百A級の瞬間電流 が流れる。
電源ネットワークが不安定だと即トラブル。
【3】SI(Signal Integrity)の代表的課題
- インピーダンス不整合
・配線幅・厚み・誘電率のばらつき
・RDL設計ミス
→ 反射・リンギングが発生。
- クロストーク
・隣接配線からの電磁結合
・特に高速差動信号で顕著
対策:
・配線間隔拡大
・GNDシールド配置
・レイヤ構成最適化
- ジッタ・タイミングマージン不足
・配線遅延ばらつき
・温度・電圧変動
微細化が進むほど、設計余裕が消える。
【4】PI(Power Integrity)の代表的課題
- 電圧ドロップ(IR Drop)
・電流増加 × 配線抵抗
・パッケージ内電源配線がボトルネック
- 同時スイッチングノイズ(SSN)
・多数のトランジスタが同時にON/OFF
・電源・GNDが揺れる
- 対策手法
・デカップリングキャパシタの最適配置
・電源・GNDプレーン強化
・Backside Power Delivery(BSPD)
・パッケージとチップの協調設計(Co-design)
【5】EMI(電磁干渉)の課題と対策
- EMIが問題になる場面
・無線機器(5G, Wi-Fi)
・車載(ADAS)
・医療機器
・高速I/O製品
- 主な対策
・GNDシールド構造
・メタルキャップ・シールド缶
・ノイズ源とアンテナの物理分離
・配線ループ面積最小化
・フィルタ・チョークの追加
EMI対策は最後にやると地獄 → 初期設計から組み込むのが鉄則。
【6】先端パッケージ別のSI / PI / EMI視点
- Fan-out
・RDLが長くなりやすい → SI悪化
・電源配線が細い → PIが課題
対策:
・RDL幅・厚み最適化
・電源専用RDLレイヤ追加
- 2.5D / Chiplet
・チップ間インターフェースが超高速
・HBMのPI設計が最難関
対策:
・ショート配線
・広帯域デカップリング
・CoWoSなど専用構造
- 3D-IC
・TSVがSI/PI両面で影響
・熱と電源ノイズが連動
対策:
・TSV配置最適化
・電源専用TSV
・熱・電源・信号の同時最適化
【7】最新トレンド
・SI/PI/EMIの同時シミュレーション
・チップ+パッケージ+基板のフルCo-design
・AIによる配線・配置最適化
・Backside Power Delivery の本格導入
・高周波対応材料(低Dk / 低Df)の進化
【8】まとめ(6-5)
・高速・高密度化でSI/PI/EMIは避けて通れない
・信号・電源・電磁は相互に影響する
・初期設計からの組み込みが必須
・Fan-out、2.5D、3Dで課題は異なる
・Co-designとシミュレーションが競争力を決める
【理解チェック】
1.SIとPIの違いを一言で説明してください。
2.なぜ高速信号では配線を伝送線路として扱う必要があるのか?
3.EMI対策を設計初期から行うべき理由は何か?
コラム監修:角本 康司 (オーティス株式会社)
語学留学や商社での企画開発を経て2011年にオーティス株式会社入社。経営企画部を中心に製造・技術部門も兼任し、2018年より代表取締役として事業成長と組織強化に努めている。
※本記事は教育・啓発を目的とした一般的な技術解説であり、特定企業・製品・技術を示すものではありません。
