2026.02.20 7-7. 電気特性評価（DC / RF / 高速信号） 半導体は、見た目が正常でも電気的に壊れていれば不良。 だから検査の本丸は、最終的に必ずここへ到達する。 電気特性評価（Electrical Characte... 続きを読む 半導体 検査・評価技術
2026.02.19 7-6. 故障解析（Failure Analysis / FA） 不良が出たとき、最も危険なのは 「原因が分からないまま量産を続けること」 半導体は、 • 微細 • 多層 • 多材料 で構成されるため、 表面の症状... 続きを読む 半導体 検査・評価技術
2026.02.18 7-5. 非破壊検査（X-ray / SAT / CT） 半導体の不良は、外から見えない場所で起きることが多い。 はんだ内部、バンプ接合部、モールド内部 これらは光学顕微鏡では確認できない。 しかし、壊れた後では... 続きを読む 半導体 検査・評価技術
2026.02.17 7-4. 外観検査（Optical Inspection） 半導体不良の多くは、電気的に測る前に 形として現れる。 キズ、異物、欠け、剥離 これらはすべて、デバイス性能・信頼性に直結する物理欠陥。 外観検査は、それ... 続きを読む 半導体 検査・評価技術
2026.02.16 7-3. 最終電気検査（Final Test / FT） ウェハ検査を通過しても、それだけで「良品」とは言えない。 半導体は、 • ダイシング • 実装 • パッケージング • はんだ接合 と工程を重ねるほ... 続きを読む 半導体 検査・評価技術
2026.02.13 7-2. ウェハレベル電気特性検査（Wafer Electrical Test / E-Test） 半導体は、作れたかどうかではなく、 狙った特性になっているかで価値が決まる。 その最初の関門が、ウェハレベル電気特性検査（E-Test） である。 ここで... 続きを読む 半導体 検査・評価技術
